Диністор — Вікіпедія

Дині́стор^[2]^[1]^:50 або діодний тиристор — тиристор, що має два виводи, та проводить струм лише в одному напрямку.

Принцип дії[ред. | ред. код]

Зовнішня n-область і вивід від неї називається катодом. Внутрішні p- і n-області називаються базами диністора. Крайні p-n переходи називаються емітерними, а середній p-n перехід називається колекторним. Якщо на анод подати «-», а на катод «+», емітерні переходи будуть закриті, колекторний відкритий. Основні носії зарядів з анода і катода не зможуть перейти в базу, тому через диністор протікатиме тільки маленький зворотний струм, викликаний неосновними носіями заряду.

Якщо на анод подати «+», а на катод «-», емітерні переходи відкриваються, а колекторний закривається. Основні носії зарядів переходять з анода в базу 1, а з катода — в базу 2, де вони стають неосновними і в базах відбувається інтенсивна рекомбінація зарядів, в результаті якої кількість вільних носіїв зарядів зменшується. Ці носії заряду підходять до колекторного переходу, поле якого буде їх пришвидчувати, потім проходять базу і переходять через відкритий емітерний перехід, оскільки в базах вони знову стають основними. Пройшовши емітерні переходи, електрони переходять в анод, а дірки — в катод, де вони вдруге стають неосновними і вдруге відбувається інтенсивна рекомбінація. В результаті кількість зарядів, що пройшли через диністор, буде дуже мала і прямий струм також буде дуже малий. При збільшенні напруги прямий струм незначно зростає, оскільки збільшується швидкість руху носіїв, а інтенсивність рекомбінації зменшується. При збільшенні напруги до певної величини відбувається електричний пробій колекторного переходу. Опір диністора різко зменшується, струм через нього дуже зростає і падіння напруги на ньому значно зменшується. Вважається, що диністор перейшов з вимкненого стану в увімкнений.

Після увімкнення диністора струм повинен бути обмежений зовнішнім опором навантаження, інакше диністор вийде з ладу. В увімкненому стані падіння напруги приблизно дорівнює сумі напруг на одному pn-переході і на насиченому транзисторі.

Диністори застосовуються як безконтактні, керовані напругою, вимикачі.^{[уточнити]}

Розвиток технології[ред. | ред. код]

У 1988 році було представлено перші диністори на основі карбіду кремнію з часом перемикання близько 10^-8 секунд.^[3]

Див. також[ред. | ред. код]

Симістор

Примітки[ред. | ред. код]

↑ ^а ^б Болюх В. Ф., Данько В. Г. Основи електроніки та мікропроцесорної техніки. — Харків : Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2011. — С. 49—53. — ISBN 978-966-188-173-9.
↑ Російсько-український та українсько-російський словник з радіоелектроніки / Богдан Рицар, Костянтин Семенистий, Ірина Кочан ; за ред. к. т. н. Богдана Рицара. — Львів : Логос, 1995. — С. 98, 522. — ISBN 5-7707-7696-X.
↑ First SiC dynistor / V. A. Dmitriev, M. E. Levinshtein, S. N. Vainshtein, V. E. Chelnokov // Electronic letters : journal. — 1988. — Vol. 24, iss. 16 (August). — DOI 10.1049/el:19880702.

Джерела[ред. | ред. код]

Москатов Е. А. Электронная техника. — Таганрог, 2004. — 121 с.

[основи-1] а ^б Болюх В. Ф., Данько В. Г. Основи електроніки та мікропроцесорної техніки. — Харків : Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2011. — С. 49—53. — ISBN 978-966-188-173-9.

[СЗР-2] Російсько-український та українсько-російський словник з радіоелектроніки / Богдан Рицар, Костянтин Семенистий, Ірина Кочан ; за ред. к. т. н. Богдана Рицара. — Львів : Логос, 1995. — С. 98, 522. — ISBN 5-7707-7696-X.

[3] First SiC dynistor / V. A. Dmitriev, M. E. Levinshtein, S. N. Vainshtein, V. E. Chelnokov // Electronic letters : journal. — 1988. — Vol. 24, iss. 16 (August). — DOI 10.1049/el:19880702.

[1]

[2]

[3]