Yarı iletken cihaz imalatı - Vikipedi

Yarı iletken cihaz imalatı
MOSFET ölçeği (işlem düğümleri)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Future 002 nm ~ 2024
Küçültme Transistör sayısı CMOS Cihaz (çoklu kapı) Moore yasası Yarı iletken Sanayi Nanoelektronik
g t d

Yarı iletken cihaz imalatı, yarı iletken cihazları, tipik olarak günlük elektrikli ve elektronik cihazlarda bulunan entegre devre (IC) yongalarında kullanılan metal oksit yarı iletken (MOS) cihazları üretmek için kullanılan süreçtir. Saf yarı iletken malzemeden yapılmış bir wafer üzerinde elektronik devrelerin kademeli olarak oluşturulduğu fotolitografik ve kimyasal işlem aşamalarının (yüzey pasivasyonu, termal oksidasyon, düzlemsel difüzyon ve bağlantı izolasyonu gibi) çok aşamalı bir dizisidir. Silisyum hemen hemen her zaman kullanılır, ancak özel uygulamalar için çeşitli bileşik yarı iletkenler kullanılır.

Yıllara göre yarı iletken ölçekleri[değiştir | kaynağı değiştir]

• 050 µm – 1960 yılları
• 020 µm – 1960 yılları
• 016 µm – 1960 yılları
• 010 µm – 1971 yılı
• 08 µm – 1972 yılı
• 07 µm – 1973 yılı
• 006 µm – 1974 yılı
• 05 µm – 1975 yılı
• 03.5 µm – 1976 yılı
• 003  µm – 1977 yılı
• 02.5 µm – 1979 yılı
• 02 µm – 1980 yılı
•  1.5 µm – 1981 yılı
• 01.3 µm – 1982 yılı
• 01.2 µm – 1983 yılı
• 001 µm – 1984 yılı
• 800 nm – 1987 yılı
• 750 nm – 1988 yılı
• 700 nm – 1989 yılı
• 650 nm – 1990 yılı
• 600 nm – 1990 yılı
• 500 nm – 1992 yılı
• 350 nm – 1993 yılı
• 280 nm – 1994 yılı
• 250 nm – 1996 yılı
• 240 nm – 1997 yılı
• 220 nm – 1998 yılı
• 180 nm – 1999 yılı
• 150 nm – 2000 yılı
• 130 nm – 2001 yılı
• 090 nm – 2003 yılı
• 080 nm – 2004 yılı
• 065 nm – 2005 yılı
• 055 nm – 2006 yılı
• 045 nm – 2007 yılı
• 040 nm – 2008 yılı
• 032 nm – 2009 yılı
• 028 nm – 2010 yılı
• 022 nm – 2012 yılı
• 020 nm – 2013 yılı
• 016 nm – 2014 yılı
• 014 nm – 2014 yılı
• 010 nm – 2016 yılı
• 007 nm – 2018 yılı
• 005 nm – 2020 yılı
• 003 nm – 2022 yılı
• 002 nm ~ 2024 yılı (planlanıyor)
• 001 nm ~ 2026 yılı (planlanıyor)

Ayrıca bakınız[değiştir | kaynağı değiştir]

• Yarı iletken ölçekli örnekleri listesi
• NMOS
• PMOS
• Moore yasası
• Devre küçültme
• Transistör sayısı
• CMOS
• Yarı iletken sanayii
• Nanoelektronik

Konuyla ilgili yayınlar[değiştir | kaynağı değiştir]

• Kaeslin, Hubert (2008), Digital Integrated Circuit Design, from VLSI Architectures to CMOS Fabrication, Cambridge University Press , section 14.2.
• Wiki related to Chip Technology 26 Ekim 2020 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.

Dış bağlantılar[değiştir | kaynağı değiştir]

Wikimedia Commons'ta Yarı iletken cihaz imalatı ile ilgili ortam dosyaları bulunmaktadır.

• Silicon Wafers for Semiconductor Device Fabrication 9 Ekim 2020 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.
• Semiconductor glossary 1 Şubat 2006 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.
• Wafer heating
• Designing a Heated Chuck for Semiconductor Processing Equipment 10 Ağustos 2020 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.

Elektronik ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz.