Файл:Технология выращенного транзистора.PNG — Википедия

Размер этого предпросмотра: 800 × 587 пкс. Другие разрешения: 320 × 235 пкс | 640 × 469 пкс | 1009 × 740 пкс.

Исходный файл ‎(1009 × 740 пкс, размер файла: 47 Кб, MIME-тип: image/png)

Этот файл находится на Викискладе. Сведения о нём показаны ниже.

Викисклад — централизованное хранилище для свободных файлов, используемых в проектах Викимедиа.

Описание	Технология производства транзисторов выращиванием из расплава - первая вообще технология производства плоскостных транзисторов (1950). Один монокристалл = одна пара pn-переходов = несколько десятков транзисторов. The first historical junction transistor technology (1950, Morgan Sparks): one crystal rod = one pair of junctions = a dozen or two of transistors.
Дата	24 марта 2012
Источник	Собственная работа по мотивам патента Спаркса / Bell Labs 1950 года
Автор	user:Retired Electrician

Это произведение не защищается авторским правом, так как является тривиальным, не несёт художественной ценности, состоит только из общеизвестных элементов, не имеющих авторства.

История файла

Нажмите на дату/время, чтобы посмотреть файл, который был загружен в тот момент.

	Дата/время	Миниатюра	Размеры	Участник	Примечание
текущий	08:19, 25 марта 2012		1009 × 740 (47 Кб)	Retired electrician	{{Information \|Description=Технология производства транзисторов выращиванием из расплава - первая вообще технология производства плоскостных транз...

Следующая страница использует этот файл:

Данный файл используется в следующих вики: