William Bradford Shockley – Wikipédia, a enciclopédia livre

William Bradford Shockley Medalha Nobel
William Bradford Shockley
Co-inventor do transístor
Nascimento 13 de fevereiro de 1910
Londres
Morte 12 de agosto de 1989 (79 anos)
Stanford
Sepultamento Alta Mesa Memorial Park
Nacionalidade Estadunidense
Cidadania Reino Unido, Estados Unidos
Progenitores
  • William Hillman Shockley
Cônjuge Jean Bailey, Emmy Lanning
Alma mater Instituto de Tecnologia da Califórnia, Instituto de Tecnologia de Massachusetts
Ocupação físico, inventor, professor universitário
Prêmios Prêmio Comstock de Física (1953), Nobel de Física (1956), Pessoa do Ano (1960), Medalha Holley (1963), National Inventors Hall of Fame (1974), Medalha de Honra IEEE (1980)
Empregador(a) Bell Labs, Universidade Stanford, Shockley Semiconductor Laboratory
Orientador(a)(es/s) John Clarke Slater
Instituições Bell Labs, Shockley Semiconductor Laboratory, Universidade Stanford
Campo(s) Física
Religião ateísmo
Causa da morte câncer de próstata

William Bradford Shockley (Londres, 13 de fevereiro de 1910Stanford, 12 de agosto de 1989) foi um físico e inventor estadunidense laureado com o prêmio Nobel de física em 1956.[1]

Biografia[editar | editar código-fonte]

Seus pais eram naturais dos Estados Unidos. Seu pai William sênior era um engenheiro de minas que trabalhava em minas para sobreviver, e falava oito idiomas. Já sua mãe, Mary, era graduada pela Universidade de Stanford, e se tornou a primeira mulher dos Estados Unidos a ser deputy surveyor em mineração. Enquanto ainda era estudante, Shockley casou em 1933 com Iowan Jean Bailey. E em março de 1934 Jean teve uma menina, Alison, e logo em seguida teve mais um filho, Richard, que mais tarde também se tornou um físico.

Formação[editar | editar código-fonte]

No ano de 1932, ele recebeu seu grau de Bacharel em Ciências no Instituto de Tecnologia da Califórnia, Shockley recebeu o seu PhD no Instituto de Tecnologia de Massachusetts em 1936, o título de sua tese de doutorado foi sobre bandas eletrônicas em cloreto de sódio, e foi sugerido por seu orientador de tese, John Clarke Slater. Após receber seu doutorado, ele se juntou a um grupo de pesquisa liderado por Clinton Davisson no Bell Labs, em Nova Jérsia. Os anos seguintes foram muito produtivos, ele publicou uma série de trabalhos sobre física do estado sólido na Physical Review.

Conferência de Solvay sobre física em Bruxelas, 1951. Da esquerda para a direita, sentados: Crussaro, Norman Percy Allen, Yvette Cauchois, Borelius, William Lawrence Bragg, Christian Møller, Sietz, John Herbert Hollomon, Frank; fila do meio: Gerhart Rathenau,(nl) Koster, Erik Rudberg,(sv) Flamache, Goche, Groven, Egon Orowan, Jan Burgers, William Bradford Shockley, André Guinier, C.S. Smith, Ulrich Dehlinger, Laval, Émile Henriot; fila superior: Gaspart, Lomer, Alan Cottrell, Georges Homes, Hubert Curien

Carreira acadêmica[editar | editar código-fonte]

Em 1938, recebeu sua primeira patente, que era a respeito de "Dispositivo de Descarga de Elétron" em multiplicadores de elétrons. Quando a Segunda Guerra Mundial estourou, ele se envolveu em radar de pesquisa nos laboratórios em Whippany, Nova Jérsia. Em maio de 1942 ele se despediu da Bell Labs para se tornar um diretor de pesquisa na Universidade de Columbia, por causa da Guerra AntiSubmarina, para elaborar métodos de combate para as táticas de submarinos com melhores encaminhamentos de técnicas e também diminuir a taxa de náufragos de. Como diretor ele contratou equipes de escrivães para fazer estatísticas sobre naufrágios de submarinos. Como diretor tinha que fazer viagens freqüentes para o Pentágono e Washington, onde conheceu muitos oficiais de alta patente e funcionários do governo. Em 1944, ele organizou um programa de treinamento para bombardeio B-29, os pilotos utilizaram novos radares de miras para bombardeio. No final de 1944, ele tomou rumo a uma turnê de três meses para bases em todo o mundo para avaliar os resultados de seu trabalho. Em julho de 1945, o Departamento de Guerra pediu Shockley para preparar um relatório sobre as baixas chances de uma invasão do continente japonês. Esta previsão dele influenciou na decisão para os bombardeios atômicos de Hiroshima e Nagasaki para forçar o Japão a se render sem uma invasão. Pelo seu excelente trabalho durante a guerra, o secretário de guerra Robert Porter Patterson concedeu a ele a Medalha Presidencial por Mérito em 17 de outubro de 1946. Ele provavelmente ajudou a fazer possível o Dia D, protegendo os comboios que mantinham a Grã-Bretanha ao lado dos Aliados. Na primavera de 1954 Shockley se separou de sua esposa Jean, e em 23 de novembro de 1955 se casou novamente, desta vez com Emmy Lanning, uma professora de enfermagem e psiquiátrica do norte de Nova York. Tiveram um casamento feliz que durou até sua morte. Shockley morreu em 12 de agosto de 1989 vitimado por câncer de próstata.

Transístor de estado sólido[editar | editar código-fonte]

Logo após o fim da guerra, em 1945, o Bell Labs formou um grupo de Física do Estado Sólido, que foi liderado por Shockley e pelo químico Morgan Stanley, que incluía John Bardeen, Walter Brattain, o físico Gerald Pearson, o químico Robert Gibney, o eletrônico especialista Hilbert Moore, e vários técnicos. A missão deles era buscar uma alternativa de estado sólido para um frágil tubo de vácuo amplificador. Porém não deu muito certo este grupo, e eles fizeram o transistor por contato pontual, mas tiveram muitas discussões e brigas para patentear. Muitos do grupo entraram com pedidos de patente, porém Shockley não estava em nenhum desses pedidos. Isto o irritou, pois ele achava que seu nome também deveria estar sobre as patentes, porque o trabalho foi baseado em sua ideia de efeito de campo. Com tudo isto ele decidiu demonstrar quem era o verdadeiro cérebro da operação, então secretamente ele continuou seu trabalho para construir um tipo diferente de transistor baseado em junções em vez de contato pontual. Em 1948 outro membro da equipe, John N. Shive, construiu um transistor de ponto de contato, que virou a invenção Shive e desencadeou logo em seguida a invenção de Shockley do transistor de junção. Então poucos meses depois ele inventou um novo tipo de transistor com uma camada de estrutura, a invenção do transistor de junção, que foi anunciada em uma conferência de imprensa em 4 de julho de 1951 e obteve uma patente em 25 de setembro de 1951. Esta estrutura passou a ser utilizado para a grande maioria de todos os transistores na década de 1960, e evoluiu para o transistor bipolar de junção.

Em 1951 foi eleito membro da Academia Nacional de Ciências (NAS). Dois anos depois, foi escolhido como o destinatário do prestigiado Prêmio Comstock de Física da NAS, e foi o destinatário de muitos outros prêmios e homenagens. Por ter um estilo de gestão abrasivo recebeu uma promoção de executivo da Bell Labs, que também sentia que ele era um bem valioso como cientista e teórico. Mas, ele resolveu tirar uma licença da Bell Labs em 1953 e mudou-se de volta para o Instituto de Tecnologia da Califórnia (Caltech), durante quatro meses como professor visitante.

Semicondutor Shockley[editar | editar código-fonte]

Em 1955, Shockley se juntou à Beckman Instruments de Arnold Orville Beckman, onde foi nomeado diretor do recém-fundado Beckman Shockley Semicondutor Laboratory. Com seu prestígio e o capital de Beckman, ele tentou atrair alguns de seus ex-colegas da Bell Labs para seu laboratório novo, mas nenhum deles quis se juntar a ele. Como sua ideia inicial não deu certo, começou a procurar nas universidades os mais brilhantes alunos para construir uma empresa a partir do zero. Depois de receber o Prêmio Nobel em 1956, ele ficou pior de gênio, como evidenciado em seu estilo de gestão cada vez mais autocrático, errático e difícil de agradar. No final de 1957, oito dos pesquisadores, que se chamavam de "Os Oito Traidores", renunciaram após ele decidir não prosseguir a investigação em silício baseada nos semicondutores. Ao longo de 20 anos, oito dos ex-funcionários começaram 65 novas empresas. Shockley com o Semicondutor e mais estas empresas formaram o núcleo do que se tornou o Vale do Silício, o que revolucionou o mundo da eletrônica. A empresa de Shockley foi vendida em 1960 e tornou-se uma parte da ITT Corporation em 1968.

Referências

  1. «The Nobel Prize in Physics 1956» (em inglês). Nobel Media. Consultado em 13 de novembro de 2019 

Ligações externas[editar | editar código-fonte]

Precedido por
Willis Eugene Lamb e Polykarp Kusch
Nobel de Física
1956
com John Bardeen e Walter Houser Brattain
Sucedido por
Chen Ning Yang e Tsung-Dao Lee
Precedido por
Richard Bellman
Medalha de Honra IEEE
1980
Sucedido por
Sidney Darlington
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