Lanying Lin — Wikipédia

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Lanying Lin
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Fonctions
Députée à l'Assemblée nationale populaire
8e Assemblée nationale populaire (en)
7e Assemblée nationale populaire (en)
6e Assemblée nationale populaire (en)
5e Assemblée nationale populaire (en)
4e Assemblée nationale populaire (en)
3e Assemblée nationale populaire (en)
Membre permanent de l'Assemblée nationale populaire
7e Assemblée nationale populaire (en)
6e Assemblée nationale populaire (en)
5e Assemblée nationale populaire (en)
4e Assemblée nationale populaire (en)
3e Assemblée nationale populaire (en)
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Lanying Lin (chinois : 林兰英 ; - ), est une ingénieure électricienne chinoise, spécialiste des matériaux, une physicienne et une femme politique. Elle est surnommée la « mère des matériaux aérospatiaux » et la « mère des matériaux semi-conducteurs » en Chine.

Parmi ses nombreuses contributions, on compte la fabrication du premier cristal de silicium monocristallin de Chine et le premier four utilisé pour fabriquer du silicium monocristallin en Chine. Elle jette les bases du développement de la microélectronique et de l'optoélectronique. Elle est à l'origine du développement de matériaux extensifs en phase vapeur hautement purifiée et en phase liquide.

Jeunesse et formation[modifier | modifier le code]

Lanying Lin naît le 7 février 1918 dans la ville de Putian (province du Fujian, Sud de la Chine), de Jianhua Li, éducateur, et de Shuixian Zhou.

Elle est la première enfant d'une famille nombreuse qui remonte à la dynastie Ming 600 ans auparavant[1]. Son ancêtre Run Lin était censeur impérial pendant la dynastie Ming, il contrôlait et supervisait d'autres fonctionnaires. Au cours de sa carrière, il soutient l'Empereur contre des contestataires et ce dernier lui donne de l'argent pour construire une maison à Putian. Lin naît et grandit dans cette maison[2].

Mais être une fille en Chine n'est pas un destin facile. Ses sœurs subissent des mariages forcés ou sont tuées. Avant d'avoir six ans, Lin devait faire la lessive et cuisiner pour toute la famille.

Formation en Chine[modifier | modifier le code]

À six ans, elle souhaite aller à l'école. Sa mère, profondément influencée par les normes sociales chinoises en matière de genre, lui interdit de faire des études. Pour elle, une femme n'a pas besoin de savoir lire. Lin s'enferme dans sa chambre, fait la grève de la faim et sa mère finit par l'autoriser à aller à l'école primaire de Liqing. Lin y a souvent les meilleures notes, malgré le ménage et la cuisine. Elle gardera de cette période l'habitude de ne dormir que six heures par nuit.

Elle mène la même bataille pour continuer au collège de Liqing. Sa mère accepte qu'elle s'y rende si elle ne doit rien payer. Lin obtient une bourse chaque semestre grâce à ses bonnes notes, le collège offrant une bourse aux trois meilleurs élèves. Après le collège, elle s'inscrit au lycée de Putian, mais elle n'y reste qu'un an après l'attaque japonaise contre la Chine. Des étudiants organisent des défilés exigeant le boycott du Japon. Des agents et soldats japonais sont en Chine, les défilés sont supprimés et des étudiants tués.

Lin est transférée dans une école pour femmes appelée Hami Lton School. Là, elle assiste un professeur américain qui parle mal le chinois en traduisant ses cours pour ses élèves. Elle poursuit ses études à l'université chrétienne de Fujian[3]. À 22 ans, elle obtient un Bachelor of science en physique. Elle travaille à l'université pendant huit ans, dont quatre ans comme assistante en mécanique. Elle publie son premier livre, Course for Experiments in Optics, et obtient la certification de professeur.

Formation aux États-Unis[modifier | modifier le code]

L'université chrétienne de Fujian propose des programmes d'échange avec l'université de New York pour les enseignants ayant travaillé plus de deux ans. La candidature de Lin est refusé car elle n'est pas chrétienne.

Elle dépose sa candidature au Dickinson College et obtient une bourse d'études complète et un autre Bachelor of science en mathématiques avec l'aide de son collègue Lairong Li, en 1931. Elle étudie ensuite la physique du solide à l'université de Pennsylvanie. En 1955, elle obtient un doctorat en physique du solide[4] et devient la première ressortissante chinoise en cent ans à y obtenir un doctorat.

Carrière[modifier | modifier le code]

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États-Unis[modifier | modifier le code]

Lin souhaite retourner en Chine après l'obtention de son diplôme. Cependant, la situation politique chinoise est tendue et de nombreux étudiants chinois ne sont pas autorisés à rentrer. Sur recommandation de son professeur à l'Université de Pennsylvanie, elle travaille pendant un an comme ingénieur principale à la Sofia (Sylvania) Company, un fabricant de semi-conducteurs[5]. Lin résout le problème qui empêchait l'entreprise de fabriquer du silicium monocristallin[6].

Chine[modifier | modifier le code]

En 1956, la Chine signe un traité lors de la Conférence de Genève qui permet le retour des étudiants. Le 6 janvier 1957, Lin rentre en Chine. Juste avant son embarquement, le Federal Bureau of Investigation la menace de bloquer ses revenus (6'800 USD) si elle quitte le pays. Elle monte quand même à bord du navire[7].

Elle travaille à l'Institut des semi-conducteurs de l'Académie chinoise des sciences et apporte son expérience pour permettre à la Chine de produire du silicium monocristallin en changeant le processus, les embargos de l'époque ne permettant pas d'obtenir l'équipement nécessaire[5]. En 1958, la Chine est le troisième pays à le produire et jette les bases du développement des radios à transistors. En 1959, elle travaille pendant un mois à l'Académie soviétique des sciences.

En 1962, elle devient vice-présidente de la Fédération de la jeunesse chinoise. La même année, elle conçoit le premier four à cristal monocristallin chinois, nommé TDK, et elle fabrique le premier Arséniure de gallium monocristallin chinois[4]. En 1963, elle participe à la création du premier laser à semi-conducteur en Chine et fabrique du silicium hautement purifié. En 1964, elle conçoit le processus de fabrication de silicium à faible malposition[réf. souhaitée]. Elle devient député de la troisième Assemblée nationale populaire et membre du Comité permanent de l'Assemblée nationale populaire. Elle sera également député de la quatrième à la huitième Assemblée.

Pendant la révolution culturelle, de 1966 à 1976, Lin n'est pas autorisée à faire de la recherche et doit rester chez elle sous la surveillance des autorités. Son père décède à la suite d'une agression. Après la révolution, à près de 60 ans, Lin retourne travailler.

En 1978, elle est membre du comité de l'Institut chinois d'électronique (CIE) et en 1979, devient directrice générale de l'Institut chinois d'électronique (CIE). En avril 1980, elle est nommée deuxième vice-présidente de l'Association chinoise pour la science et la technologie (CAST). L'année suivante, elle devient membre de l'Académie chinoise des sciences (CAS)[4],[8].

En 1981, elle créé le circuit intégré, en 1986, le circuit intégré SOS-CMOS et en 1989, elle conduit des recherches sur le GaInAsSb / InP[9]. En 1987, elle devient membre de l'Association américaine pour l'avancement des sciences.

En 1989, après avoir constaté que la densité de dislocation de l'arséniure de gallium est élevée en raison de la gravité, elle décide de faire l'expérience dans des satellites artificiels. L'expérience est risquée car le point de fusion de l'arséniure de gallium est de 1 238 degrés Celsius, mais elle est réussie et Lin devient la première au monde à la finaliser. Le gouvernement chinois nommera une société d'arséniure de gallium en son honneur en 2001 (chinois: 中 科 稼 英 ).

En 1991, elle réalise un satellite en utilisant 5 circuits différents de circuit intégré SOS-CMOS. En 1992, elle fabrique du phosphure d'indium monocristallin, en 1998, elle fabrique des cellules solaires à base d'arséniure de gallium en liquéfiant les matériaux. Entre 1990 et 2000, elle dirige la recherche sur le SiC et le GaN et développe une nouvelle technologie de croissance des matériaux à haute température. En 1996, elle devient directrice du Laboratoire national de microgravité.

À 78 ans, en 1996, elle est diagnostiquée d'un cancer. Elle meurt le 4 mars 2003[6].

Toute sa vie, Lying rencontre des difficultés en tant que femme. En 1978, elle rejoint la Fédération nationale des femmes de Chine[10]. Elle participe à de nombreuses conférences où elle s'exprime sur les questions de genre. En 1988, par exemple, elle participe à la conférence intitulée «L'influence des femmes sur le développement de la science du tiers monde» et en 1995 à la trente et unième Conférence mondiale des Nations unies sur les femmes, avec la délégation du gouvernement chinoise[11].

Elle est connue sous le nom de «mère des matériaux aérospatiaux» et «mère des matériaux semi-conducteurs» en Chine, en hommage à ses recherches dans ces domaines[12],[13].

Publications majeures[modifier | modifier le code]

  • Dislocations et précipités dans l'arséniure de gallium semi-isolant révélés par la gravure ultrasonique d'Abrahams-Buiocchi [14]
  • Défauts stœchiométriques dans le GaAs semi-isolant [15]
  • Diffusion de la rugosité de l'interface dans les hétérostructures dopées par modulation GaAs-AlGaAs [16]
  • Croissance de monocristaux de GaAs à haute gravité [17]
  • Amélioration de la stoechiométrie dans l'arséniure de gallium semi-isolant cultivé sous microgravité [18]
  • Magnétospectroscopie de phonons liés dans du GaAs de haute pureté [19]
  • Influence des centres DX dans la barrière AlxGa12xAs sur la densité à basse température et la mobilité du gaz d'électrons bidimensionnel dans l'hétérostructure dopée par modulation GaAs / AlGaAs [20]
  • Influence du coussin Schottky GaAs semi-isolant sur la barrière Schottky dans la couche active [21]
  • Backgating et sensibilité à la lumière dans les transistors à effet de champ métal-semi-conducteur GaAs [22]
  • Dépendance énergétique photonique de l'effet SW dans les films α-Si: H [23]
  • Méthode de mesure basée sur l'irradiation infrarouge par neutrons pour l'oxygène interstitiel dans le silicium fortement dopé au bore [24]
  • Propriétés et applications du monocristal de GaAs cultivé dans des conditions de microgravité [25]
  • Résultats préliminaires de la croissance de monocristaux de GaAs dans des conditions de gravité élevée [26]
  • Distributions spatiales des impuretés et des défauts dans les GaAs dopés au Te et au Si cultivés dans un environnement à gravité réduite [27]
  • Microdéfauts et uniformité électrique de l'InP recuit dans des ambiances de phosphore et de phosphure de fer [28]
  • Formation, structure et fluorescence des amas de CdS dans une zéolite mésoporeuse [29]
  • Fabrication d'une nouvelle structure SOI double-hétéro-épitaxiale Si / γ-Al 2 O 3 / Si [30]
  • Luminescence photostimulée d'amas d'argent dans la zéolite-Y [31]
  • Caractérisation des défauts et uniformité de la tranche entière des tranches InP semi-isolantes recuites non dopées [32]
  • Croissance VLP-CVD à très basse pression de films de γ-Al 2 O 3 de haute qualité sur silicium par procédé en plusieurs étapes [33]
  • Quelques nouvelles observations sur la formation et les propriétés optiques des amas de CdS dans la zéolite-Y [34]
  • Spectres d'absorption des amas de segments Se 8 dans la zéolite 5A [35]
  • Croissance de GaSb et GaAsSb dans la région monophasée par MOVPE [36]
  • Croissance et propriétés des LPE-GaAs de haute pureté [37]
  • Nouveaux centres de couleurs et luminescence photostimulée de BaFCl: Eu 2+ [38]
  • Analyse de la canalisation du silicium auto-implanté et recristallisé sur saphir [39]
  • GaAs semi-isolant cultivé dans l'espace [40]
  • L'irradiation des neutrons induit une photoluminescence à partir d'un cristal de silicium cultivé dans l'hydrogène ambiant [41]
  • L'influence de l'épaisseur sur les propriétés de la couche tampon de GaN et du GaN fortement dopé au Si cultivé par épitaxie en phase vapeur métal-organique [42]
  • La dépendance du taux de croissance de la couche tampon de GaN sur les paramètres de croissance par épitaxie en phase vapeur métal-organique [43]
  • Auto-organisation du super-réseau de points quantiques InGaAs / GaAs [44]
  • Thermoluminescence des amas de CdS dans la zéolite-Y [45]

Articles connexes[modifier | modifier le code]

Références[modifier | modifier le code]

  1. ↑ Guo, Kemi, Chinese Female Academician, Pékin, Kunlun Press, (ISBN 7-80040-313-0)
  2. ↑ Lin, Wenxiu, « Old House of Run Lin and Lanying Lin (林润故居和林兰英故居——记一门两故居) », sur xcb.fjnu.edu.cn, Fujian Normal University (consulté le )
  3. ↑ « Fukien Christian University », sur Baidu Baike
  4. ↑ a b et c « China Vitae: Biography of Lin Lanying », sur www.chinavitae.com (consulté le )
  5. ↑ a et b « The Road To Domestic Monocrystalline », sur Xiamen Wanhos Solar Technology Co.,Ltd (consulté le )
  6. ↑ a et b « As the mother of China's aerospace materials, she resolutely gave up the preferential treatment abroad because China needed me - China-News.Net », sur china-news.net (consulté le )
  7. ↑ Tan, Jiang, « Pioneer Lanyin Ling in Semiconductor field in China (中国半导体材料科学先驱林兰英--人民网经济频道-上这里，懂中国经济-财经 金融信息-银行-股票-基金-保险-外汇-产业-商道--人民网--人民网) », sur finance.people.com.cn, People Internet,‎ (consulté le )
  8. ↑ 何春藩., Wang zhan guo, (1938.12- ), 何春藩, (1937.12- ) et 王占国, (1938.12- ), Lin lan ying zhuan, Ke xue chu ban she,‎ (ISBN 978-7-03-040125-0 et 7-03-040125-5, OCLC 907428709, lire en ligne)
  9. ↑ (en) Meiyong Liao, Bo Shen et Zhanguo Wang, Ultra-wide Bandgap Semiconductor Materials, Elsevier Science, (ISBN 978-0-12-815468-7, lire en ligne)
  10. ↑ (en) « Chemists, Scholars, and Stargazing Philosophers: Other Amazing Women of Science - Wonder Women: 25 Innovators, Inventors, and Trailblazers Who Changed History », sur erenow.net (consulté le )
  11. ↑ Chen, Chen, « Outstanding Woman in Science: Lanying Lin », Sciences of Xiameng (3),‎ , p. 5–6
  12. ↑ (en-US) MSB Writers Squad, « 31 Incredible Women in the History of Science Who’ve Changed the World », sur My Science Boutique, (consulté le )
  13. ↑ Zheng, Guoxian, Academician Lanying Lin., Pékin, Writer Press, (ISBN 7-5063-3267-1)
  14. ↑ Chen, He, Wang et Pan, « Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching », Journal of Crystal Growth, vol. 167, nos 3–4,‎ , p. 766–768 (DOI 10.1016/0022-0248(96)00462-9, Bibcode 1996JCrGr.167..766C)
  15. ↑ Chen, He, Wang et Lin, « Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs », Journal of Crystal Growth, vol. 173, nos 3–4,‎ , p. 325–329 (DOI 10.1016/S0022-0248(96)00823-8, Bibcode 1997JCrGr.173..325C)
  16. ↑ Yang, Cheng, Wang et Liang, « Interface roughness scattering in GaAs–AlGaAs modulation‐doped heterostructures », Applied Physics Letters, vol. 65, no 26,‎ , p. 3329–3331 (ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.112382)
  17. ↑ Bojun Zhou, Funian Cao, Lanying Lin, Wenju Ma, Zheng, Tao et Xue, Growth of GaAs Single Crystals at High Gravity, Springer US, , 53–60 p. (ISBN 978-1-4613-6073-5, DOI 10.1007/978-1-4615-2520-2_5)
  18. ↑ Lin, Zhong et Chen, « Improvement of stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide grown under microgravity », Journal of Crystal Growth, vol. 191, no 3,‎ , p. 586–588 (DOI 10.1016/S0022-0248(98)00372-8, Bibcode 1998JCrGr.191..586L)
  19. ↑ Chen, Wang, He et Lin, « Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors », Physical Review B, vol. 54, no 12,‎ , p. 8516–8521 (PMID 9984526, DOI 10.1103/PhysRevB.54.8516, Bibcode 1996PhRvB..54.8516C)
  20. ↑ Yang, Wang, Cheng et Liang, « Influence of DX centers in the AlxGa1−xAs barrier on the low‐temperature density and mobility of the two‐dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs modulation‐doped heterostructure », Applied Physics Letters, vol. 66, no 11,‎ , p. 1406–1408 (ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.113216)
  21. ↑ Wu, Wang, Lin et Han, « Influence of the semi‐insulating GaAs Schottky pad on the Schottky barrier in the active layer », Applied Physics Letters, vol. 68, no 18,‎ , p. 2550–2552 (ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.116180, Bibcode 1996ApPhL..68.2550W)
  22. ↑ Li, Wang, Liang et Ren, « Backgating and light sensitivity in GaAs metal-semiconductor field effect transistors », Journal of Crystal Growth, vol. 150, Part 2,‎ , p. 1270–1274 (DOI 10.1016/0022-0248(95)80143-Z, Bibcode 1995JCrGr.150.1270L)
  23. ↑ Tian, Jiang, Zeng et Huang, « Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films », Solid State Communications, vol. 57, no 7,‎ , p. 543–544 (DOI 10.1016/0038-1098(86)90627-7, Bibcode 1986SSCom..57..543T)
  24. ↑ Wang, Ma, Cai et Yu, « Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon », Semiconductor Science and Technology, vol. 14, no 1,‎ , p. 74–76 (DOI 10.1088/0268-1242/14/1/010, Bibcode 1999SeScT..14...74W)
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  27. ↑ Wang, Li, Wan et Lin, « Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment », Journal of Crystal Growth, vol. 103, nos 1–4,‎ , p. 38–45 (DOI 10.1016/0022-0248(90)90167-j, Bibcode 1990JCrGr.103...38W)
  28. ↑ Zhiyuan, Youwen, Yiping et Manlong, « Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances », Journal of Crystal Growth, vol. 259, nos 1–2,‎ , p. 1–7 (DOI 10.1016/j.jcrysgro.2003.07.009, Bibcode 2003JCrGr.259....1Z)
  29. ↑ Chen, Xu, Lin et Wang, « Formation, structure and fluorescence of CdS clusters in a mesoporous zeolite », Solid State Communications, vol. 105, no 2,‎ , p. 129–134 (DOI 10.1016/S0038-1098(97)10075-8, Bibcode 1998SSCom.105..129C)
  30. ↑ Tan, Wang, Wang et Yu, « Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOI structure Si/γ-Al2O3/Si », Journal of Crystal Growth, vol. 247, nos 3–4,‎ , p. 255–260 (DOI 10.1016/S0022-0248(02)01989-9)
  31. ↑ Chen, Wang, Lin et Lin, « Photostimulated luminescence of silver clusters in zeolite-Y », Physics Letters A, vol. 232, no 5,‎ , p. 391–394 (DOI 10.1016/S0375-9601(97)00400-3, Bibcode 1997PhLA..232..391C)
  32. ↑ Zhao, Sun, Dong et Jiao, « Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers », Materials Science and Engineering: B, vol. 91–92,‎ , p. 521–524 (DOI 10.1016/S0921-5107(01)01061-3)
  33. ↑ Tan, Zan, Wang et Wang, « Very low-pressure VLP-CVD growth of high quality γ-Al2O3 films on silicon by multi-step process », Journal of Crystal Growth, vol. 236, nos 1–3,‎ , p. 261–266 (DOI 10.1016/S0022-0248(01)02159-5)
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  35. ↑ Lin, Wang, Chen et Lin, « Absorption spectra of Se8-ring clusters in zeolite 5A », Materials Science and Engineering: B, vol. 47, no 2,‎ , p. 91–95 (DOI 10.1016/S0921-5107(97)00016-0)
  36. ↑ Lu, Liu, Wang et Lin, « Growth of GaSb and GaAsSb in the single phase region by MOVPE », Journal of Crystal Growth, vol. 124, nos 1–4,‎ , p. 383–388 (DOI 10.1016/0022-0248(92)90488-5, Bibcode 1992JCrGr.124..383L)
  37. ↑ Lanying, Zhaoqiang, Bojun et Suzhen, « Growth and properties of high purity LPE-GaAs », Journal of Crystal Growth, vol. 56, no 3,‎ , p. 533–540 (DOI 10.1016/0022-0248(82)90036-7, Bibcode 1982JCrGr..56..533L)
  38. ↑ Chen, Wang, Lin et Su, « New color centers and photostimulated luminescence of BaFCl:Eu2+ », Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 59, no 1,‎ , p. 49–53 (DOI 10.1016/S0022-3697(97)00129-7, Bibcode 1998JPCS...59...49C)
  39. ↑ Renyong, Yuanhuan, Shiduan et Lanying, « Channeling analysis of self-implanted and recrystallized silicon on sapphire », Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, vol. 15, nos 1–6,‎ , p. 350–351 (DOI 10.1016/0168-583x(86)90319-8, Bibcode 1986NIMPB..15..350R)
  40. ↑ Chen, Zhong, Lin et Xie, « Semi-insulating GaAs grown in outer space », Materials Science and Engineering: B, vol. 75, nos 2–3,‎ , p. 134–138 (DOI 10.1016/S0921-5107(00)00348-2)
  41. ↑ Lei, Zhanguo, Shouke et Lanying, « Neutron irradiation induced photoluminescence from silicon crystal grown in ambient hydrogen », Solid State Communications, vol. 74, no 11,‎ , p. 1225–1228 (DOI 10.1016/0038-1098(90)90311-x, Bibcode 1990SSCom..74.1225L)
  42. ↑ Liu, Wang, Lu et Wang, « The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy », Journal of Crystal Growth, vol. 189–190, nos 1–2,‎ , p. 287–290 (DOI 10.1016/S0022-0248(98)00264-4, Bibcode 1998JCrGr.189..287L)
  43. ↑ Liu, Lu, Wang et Wang, « The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy », Journal of Crystal Growth, vol. 193, nos 1–2,‎ , p. 23–27 (DOI 10.1016/S0022-0248(98)00476-X, Bibcode 1998JCrGr.193...23L)
  44. ↑ Zhuang, Li, Pan et Li, « Self-organization of the InGaAs/GaAs quantum dots superlattice », Journal of Crystal Growth, vol. 201–202, no 3,‎ , p. 1161–1163 (DOI 10.1016/S0022-0248(99)00010-X, Bibcode 1999JCrGr.201.1161Z)
  45. ↑ Chen, Wang et Lin, « Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y », Journal of Luminescence, vol. 71, no 2,‎ , p. 151–156 (DOI 10.1016/S0022-2313(96)00129-9, Bibcode 1997JLum...71..151C)

Liens externes[modifier | modifier le code]

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