Исаму Акасаки – Уикипедия

Исаму Акасаки
勇 赤崎
японски физик
Роден
Починал
1 април 2021 г. (92 г.)
Националност Япония
Учил вКиотски университет
Научна дейност
ОбластФизика
Работил вПанасоник
Известен сярки сини LED
Награди Нобелова награда за физика (2014)
IEEE Eдисонов медал (2011)
Исаму Акасаки в Общомедия

Исаму Акасаки (на японски: 勇 赤崎, роден на 30 януари 1929 г.) е японски учен, специализирал в областта на полупроводниковата технология. Той е лауреат на Нобелова награда за физика през 2014 г. за изобретяването на синия p-N светодиод с галиев нитрит (GaN) през 1989 г., а след това и на високояркостните сини LED светлини.[1][2][3][4][5]

За тези и други постижения на Исаму Акасаки е удостоен и с наградата Киото за напреднали технологии през 2009 г.[6] и с IEEE Едисоновия медал през 2011 година[7], а Нобеловата награда получава заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура,

„ за изобретяването на ефективни сини светодиоди, както и на ярки и енергоспестяващи бели източници на светлина. “

Кариера[редактиране | редактиране на кода]

Исаму Акасаки

Роден в Кагошима, Акасаки завършва университета в Киото през 1952 и получава научна степен доктор на инженерните науки в областта на електрониката от Нагойския университет през 1964 година. Той започва да работи с GaN-базирани сини светодиоди в края на 1960-те години и стъпка по стъпка подобрява качеството и приложението на кристала галиев нитрит[8] в научноизследователски институт Мацушита в Токио. Там прави първото си нововъведение, използвайки металоорганична парнофазова епитаксия (MOVPE).

През 1981 Акасаки въвежда методите си в Нагойския университет, а през 1985 година, заедно с научноизследователската си група, постига успех в създаването на висококачествени GaN кристали на сапфирова основа с пионерската буферна технология с ниски температури.[9][10]

Този висококачествен GaN кристал им позволява да открият неговия p-тип след усилване с магнезий и последващо активиране с помощта на електронно облъчване (1989). Така е създаден първият GaN p-n преходен син/UV светодиод (1989), а освен това са постигнати контролируема проводимост на n-типа GaN (1990)[11] и подобните сплави (1991)[12] чрез усилване със силиций (Si). Това позволява използването хетероструктури и мулти-квантови ями в проектирането и конструирането на по-ефективни р-N преходни светодиоди.

Акасаки и сътрудниците му получават стимулирано излъчване при стайна температура през 1990 г.,[13] и разработват през 1995 г. стимулирано излъчване при 388 nm с импулс от висококачествени транзисторни устройства.[14] Те проверяват квантовия ефект (1991)[15] и Stark-ефекта (1997)[16] в нитритна среда и през 2000 г. показват теоретично ориентационната зависимост между пиезоелектричното поле и съществуването на неполярни или полуполярни кристали галиев нитрит[17]. Тези постижения лежат в основата на създаването на по-ефективни източници на светлина.

Институт Акасаки в Нагойския университет[редактиране | редактиране на кода]

Сградата на института

Патентите на професор Акасаки са произведени от тези изобретения и бързо намират широко пазарно приложение. Нагойският Университет основава Институт за Акасаки[18] на 20 октомври 2006. Стойността на строителството на шестетажния институт е покрита с патентни права. Освен като научен сектор, институтът разполага с галерия на LED светлината, показваща историята на изследванията, разработките и приложенията ѝ, а също така съдържа офис за междуинститутско сътрудничество в областта на научните изследвания.

Научна кариера[редактиране | редактиране на кода]

Проф. Акасаки и Сейджи Моримото в Швеция
Със Сюдзи Накамура и Хироши Амано пред Нобеловия комитет на 8 декември 2014 г.
  • 1952 – 1959 научен сътрудник в корпорация Кобе Когьо (днес Fujitsu Ltd.).
  • 1959 – 1964 научен сътрудник, асистент и доцент по електроника в университета в Нагоя.
  • 1964 – 1974 Ръководител на фундаменталните изследвания на лаборатория 4 на научноизследователски институт Мацмацушита в Токио.
  • 1974 – 1981 главен изпълнителен директор на отдела за полупроводници (в същия институт)
  • 1981 – 1992 професор по електроника в университета в Нагоя.
  • 1987 – 1990 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-сини светодиоди“, спонсориран от Японската агенция за наука и технологии.
  • 1992 – Почетен професор на Нагойския университет, професор в университета Мейджо.
  • 1993 – 1999 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-базирани полупроводникови лазерни диоди с ниска дължина на вълната“.
  • 1995 – 1996 Гост-професор в изследователски център за квантовата електроника в университета в Хокайдо.
  • 1996 – 2001 Ръководител на проекта за насърчаване на науката в японското общество
  • 1996 – 2004 Ръководител на проекта „Високотехнологичен научноизследователски център за нитритни полупроводници“ в университета Мейджо.
  • 2001 – научен сътрудник в научноизследователския център Акасаки към Нагойския университет.
  • Периода 2003 – 2006 г., председател на научноизследователска и развойна дейност в стратегическия комитет за безжични устройства, базирани на нитридни полупроводници.
  • 2004 – директор на Център за изследвания нитритни полупроводници в университета Мейджо.

Награди и бонуси[редактиране | редактиране на кода]

Научни и академични[редактиране | редактиране на кода]

  • 1989 Награда JACG
  • 1991 Чу-Ничи Културен Приз[19]
  • 1994 За технологични контрибуции, юбилеен медал
  • 1995 Златен медал „Хайнрих Велкер“
  • 1996 Награда за Инженерни постижения
  • 1998 Награда Инуе Харшиге 
  • 1998 Приз C&C[20]
  • 1998 Приз Лодиз[21]
  • 1998 Награда „Джак Мортън“[22]
  • 1998 Ранк Приз[23]
  • 1999 Сътудник (Fellow) на IEEE[24]
  • 1999 Медал „Гордън. И. Муур“[25]
  • 1999 Doctor Honoris Causa, II Университет на Монпелие 
  • 1999 Приз за наука и технологии „Торей“[26]
  • 2001 Приз Асахи [27]
  • 2001 Doctor Honoris Causa, Университет на Линкопинг
  • 2002 Награда за особени постижения
  • 2002 Приз Фуджихара
  • 2002 Награда Такеда[28]
  • 2003 Президентска награда (SCJ)[29]
  • 2003 Награда на SSDM 
  • 2004 Tокайска културна награда
  • 2004 Професура в Нагоя
  • 2006 Награда „Джон Бардийн“[30]
  • 2006 Награда за особени постижения
  • 2007 Награда за почетни житейски постижения, JSPS
  • 2008 Чуждестранен сътрудник, Национална инженерна академия на САЩ[31]
  • 2009 Награда Киото[32]
  • 2010 Пожизнен професор, Университет Мейджо
  • 2011 Едисонов медал
  • 2011 Специална награда за интелектуална собственост
  • 2011 Почетна награда за култура Минами-Нипон 
  • 2014 Нобелова награда за физика заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура
  • 2015 Приз „Чарлс Старк Дрейпър“ 

Национални[редактиране | редактиране на кода]

  • 1997 Медал с пурпурна лента от японското правителство[33]
  • 2002 Орден на Изгряващото Слънце, златни лъчи с панделка на шията от японското правителство[34]
  • 2004 Човек с културни заслуги от японското правителство
  • 2011 Орден на културата на японския император

Източници[редактиране | редактиране на кода]

  1. ↑ Japanese Journal of Applied Physics Архив на оригинала от 2012-07-22 в Wayback Machine..
  2. ↑ Japanese Journal of Applied Physics Архив на оригинала от 2012-04-18 в Wayback Machine.. jsap.jp
  3. ↑ Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki:　P-Type　Conduction　in　Mg-doped　GaN　Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI), Jpn.
  4. ↑ I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu: Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. J. Cryst.
  5. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: GaN-based UV/blue light emitting devices, Inst.
  6. ↑ INAMORI FOUNDATION Архив на оригинала от 2016-03-04 в Wayback Machine..
  7. ↑ IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients (PDF).
  8. ↑ Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode.
  9. ↑ H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer
  10. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE, J. Crystal Growth, Vol.98 (1989), pp.209-219
  11. ↑ H. Amano and I. Akasaki: „Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED“, Mater.
  12. ↑ Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: „Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy“, J. Crystal Growth, Vol.115 (1991), pp. 648 – 651.
  13. ↑ H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: „Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer“ Jpn.
  14. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: „Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device“ Jpn.
  15. ↑ K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: „Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures“ Jpn.
  16. ↑ T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: „Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells“ Jpn.
  17. ↑ Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: „Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells“, Jpn.
  18. ↑ www.nagoya-u.ac.jp Архивирано на 17 октомври 2012.
  19. ↑ "中日文化賞".
  20. ↑ "NEC: News Release 98/11/04-01".
  21. ↑ "International Organization for Crystal Growth".
  22. ↑ (PDF) www.ieee.org.
  23. ↑ [1] Архивирано на 13 декември 2012.
  24. ↑ www.ieee.org.
  25. ↑ "ECS SSS&T Award".
  26. ↑ "Toray Science and Technology Prize: List of Winners".
  27. ↑ The Asahi Shimbun Company.
  28. ↑ "Social/Economic Well-Being: Technical Achievement: The Development of Blue Light Emitting Semiconductor Devices – Development of the blue light emitting diode and laser diode is the final link in completing the light spectrum for semiconductor devices".
  29. ↑ "IAP – About IAP".
  30. ↑ "Recipient: 2006 John Bardeen Award".
  31. ↑ "NAE Website – Dr. Isamu Akasaki".
  32. ↑ "INAMORI FOUNDATION".
  33. ↑ Types of Medals. cao.go.jp.
  34. ↑ Orders of the Rising Sun.

Допълнителна литература[редактиране | редактиране на кода]

  • Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA, 54, November 2004 
  • Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639 (2000), pages xxiii－xxv

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]

  Тази страница частично или изцяло представлява превод на страницата Isamu Akasaki в Уикипедия на английски. Оригиналният текст, както и този превод, са защитени от Лиценза „Криейтив Комънс – Признание – Споделяне на споделеното“, а за съдържание, създадено преди юни 2009 година – от Лиценза за свободна документация на ГНУ. Прегледайте историята на редакциите на оригиналната страница, както и на преводната страница, за да видите списъка на съавторите. ​

ВАЖНО: Този шаблон се отнася единствено до авторските права върху съдържанието на статията. Добавянето му не отменя изискването да се посочват конкретни източници на твърденията, които да бъдат благонадеждни.​

Нормативен контролРедактиране в Уикиданни
Взето от „https://bg.wikipedia.org/w/index.php?title=Исаму_Акасаки&oldid=10993089“.