金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體...

所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate electrode）是由一層金屬覆蓋在一層絕緣體材料（如二氧化矽）所形成，工作時透過電場將通道反轉，形成通路，作為簡單的開關。今日的金屬氧化物半導體場效電晶體...

功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是功率半導體（英语：power semiconductor device）的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSF...

安世半導體（Nexperia）是一家全球半导体制造商，总部位于荷兰奈梅亨。它在德国汉堡和英国大曼徹斯特郡設有半導體製造廠。 它以前是恩智浦半导体（前身为飞利浦半导体）的一個部门。该公司生產的产品有双极晶体管、二極管、静电放电保护、瞬态电压抑制二极管、金屬氧化物半導體場效電晶體和邏輯閘器件。...

高电子迁移率晶体管（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體...

亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英語：subthreshold leakage），是金屬氧化物半導體場效電晶體栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区（或称亚阈值状态）时，源极和漏极之间的微量漏电流。 Yannis Tsividis. Operation and Modeling of the...

多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）。它可以用一個電極來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect...

金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）推動，輸出端可以並接而不會帶來副作用，因此只要並接輸出端就可以增加輸出電流，這是7400系列所不及的。 集成电路（IC） 7400系列 数字电路 模拟集成电路 混合訊號積體電路 電晶體－電晶體邏輯（TTL） 扇出（Fan-out） 互補式金屬氧化物半導體（CMOS）...

Kahng发明了金属氧化物半导体场效应電晶體，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。 所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应雙極性電晶體的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除了結型場...

晶体管（英語：transistor），早期音译为穿细丝体，是一种类似于阀门的固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布拉頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。...

NBTI）是影响金屬氧化物半導體場效電晶體可靠性的一个重要问题，它主要表现为阈值电压的偏移。也被列入半導體元件中，可靠度分析的重要指標。NBTI 效應是CMOS電路中PMOS在Gate給相對負偏壓作用下出現的一種退化現象。包含了(IG變大，Vth向負向移動swing變差，電...