diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。 在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（活性层），是“双异质接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（共振腔）使用。在使用材料方面，有镓(Ga)、砷(As)、铟(...

打線接合（英語：Wire bonding）是一種積體電路封裝產業中的製程之一，利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片（chip）及導線架（lead frame）連接起來的技術，使微小的晶片得以與外面的電路做溝通，而不需要增加太多的面積。其他類似的接合技術如覆晶接合（Flip-chip）或捲帶式自動接合（Tape-Automated...

半導體封裝相近的裝置。 一般標記中會包含4位數字的日期代碼，以YYXX的形式表示，YY是年份的兩位數字而XX代表該年的兩位的週數。 為了使積體電路的接線點能與封裝外殼的引腳連接起來，一般使用打線接合的製程，用細金屬線將封裝外殼的引腳與半導體晶圓上的導電接線點接合...

電子學中的接面（junction）也稱為結，是指多種導體或是半導體有實際接觸的部份，可能是一點或是一個面。接面包括有熱電接面，金屬–半導體接面（英语：metal–semiconductor junction）或是pn结。接面可能是整流器，也可能沒有整流功能。沒有整流功能的接面稱為歐姆接觸。有整流接...

反應源（Precursor）： 反應源可以分成兩種，第一種是有機金屬反應源，第二種是氫化物氣體反應源。有機金屬反應源儲藏在一個具有兩個聯外管路的密封不鏽鋼罐（cylinder bubbler）內，在使用此金屬反應源時，則是將這兩個聯外管路各與MOCVD機台的管路以VCR接頭緊密接合...

塑料或陶瓷封裝牽涉到固定裸晶（die）、連接裸晶墊片至封裝上的針腳並密封整塊裸晶。微小的接合線（bondwires，請參考打線接合）用來連接裸晶電片到針腳上。在早期1970年代，接線是靠手工搭接，但現今已經仰賴特製的機器去完成同樣的工作。傳統上，這些接線由黃...

依照应用及特性分类： PN接面二極體（PN Diode） 施加順向偏壓，利用半導体中PN接合的整流性質，是最基本的半導體二極體，常見應用於整流方面以及與電感並聯保護其他元件用。細節請參照PN接面的條目。 蕭特基二極體 利用金屬和半導體二者的接合面的「蕭特基效應」的整流作用。由於順向的切入電壓較低，導通回復時間...

功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是功率半導體（英语：power semiconductor device）的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSFE...

重布线层（redistribution layer，RDL）是集成电路上额外的金属层，可使其I/O焊盘在芯片的其他位置可用，可更好地连接焊盘，起着XY平面电气延伸和互联的作用。 制造集成电路时，它通常具有一组通过打线接合到封装引脚的I/O焊盘。重新分布层是芯片上的额外布线层，可以从芯片上的不同位置...

camera tube）。如今，图像传感器主要分为感光耦合元件（charge-coupled device, CCD）和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器（CMOS Active pixel sensor）两种。 如今，大多数数码相机采用了CMOS感光元件。这两种类型的感光元件都能够完成選取影像、转换电子訊號的任务。...

高的電子流在高的溫度下會使得金屬原子從電極擴散至活性區域，有些材料，尤其是氧化銦錫和銀就容易有電子遷移的情形；有些狀況，尤其是GaN/InGaN的二極體，阻擋層金屬被使用來阻礙電子的遷移，機械的應力、高的電流和腐蝕性的環境可能會使得細小的連結發生導致短路的情形。 高功率LED對電流的擁擠敏感，不均勻的電流密度分佈在接合...