双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，:79其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。...

拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。 晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET） 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。 電晶體之所以有如此多用途在於其訊號放大能力，當微...

晶体管收音是一种小型的基于晶体管的无线电接收机。 历史上的“晶体管收音机”专指单声道接受 540－1600千周频率的调幅广播波段收音机。 第一款民用晶体管收音机叫做Regency TR-1，由美国印第安纳州的印第安纳波利斯市工业发展工程师协会Regency部研制，于1954年11月投入市场。当时价格49...

晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 场效应電晶體于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（結型場效應電晶體）。1960年Dawan...

存、模拟存储元件、数字电位器（英语：Digital potentiometer）、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 FGMOS的最早报道是姜大元（英语：Dawon Kahng）和施敏发表的, 其历史可追溯至1967年。FGMOS的最早应用是将数字数据存储在EEPROM，EPROM和闪存中。...

双晶体管随机存储器（英語：Twin Transistor random access memory，缩写：TTRAM）是一种新型的计算机存储设备，由瑞萨电子研发。 在概念上，双晶体管随机存储器类似传统的单晶体管、单电容的动态随机存取存储器（DRAM），但是通过SOI加工技術中固有的浮体效应（Float...

将晶体管放入助听器这一行为由于被采用的太过迅速所以没有经过合适的检测。后来人们发现晶体管容易受潮，而潮湿使得助听器在被使用仅仅几个星期后就损坏了。为了防止这种现象发生，晶体管外需要加一层涂层来隔绝潮湿。为了成功将晶体管加入助听器，这个问题必须解决。 Zenith是第一个意识到晶体管的问题是由人体体热导致的公司。得出这个结论之后，第一批名为“Microtone...

直到10年后的1955年发展当时不被看好的晶体管技术开发出世界第一台半导体收音机TR-55后才渐渐将公司带入正常的运营轨道  SONY索尼公司简介. [2014-06-15]. （原始内容存档于2016-05-29） （中文（中国大陆））. Sony品牌第一次出现在1955年上市的TR55电晶体收音机上  索尼详细资料...

effect）是在SOI技术中实现的晶体管与体势（body potential）相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（off-state leakages），造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应（英語：history...

Incorporated, GSI）整组而产生。这家公司最初生产地震工业和国防电子的相关设备。TI于1950年代初开始研究晶体管，同时也制造了世界上第一个商用硅晶体管。1954年，TI研发制造了第一台晶体管收音机，1958年，在TI中新研究实验室工作的（Jack Kilby）杰克·基尔比发明了集成电路。1961年...

超大规模集成电路（英語：Very large-scale integration，縮寫：VLSI），是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、发展也逐步展开。计...