• 效应被成功地运用在硬碟生产上,具有重要的商业应用价值。 巨磁阻的主要应用是磁场传感器,可读取硬盘、生物传感器、微机电系统等设备中的数据;其多层结构也被用于作为存储一位元信息的单元的磁阻随机存取存储器(MRAM)。 物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为“磁阻效应...
    10 KB (1,275 words) - 01:47, 12 October 2023
  • 激光全息存储技术是一种利用激光全息摄影原理将图文等信息记录在感光介质上的大容量信息存储技术,它有可能取代磁存储和光学存储技术,成为下一代的高容量数据存储技术。传统的存储方式将每一个比特都记为记录介质表面磁或光的变化,而全息存储中将信息记录在介质的体积内,而且利用不同角度的光线可以在同样的区域内记录多个信息图像。...
    14 KB (2,145 words) - 08:00, 24 March 2023
  • 边缘效应(英語:edge effects)是指生态系统中,生物种群在两个或更多棲息地交界或边缘的变化。 边缘效应在含有较为破碎的栖息地的区域会特别明显,甚至可能影响整个斑块。随着边缘效应增强,边缘处的栖息地也可能拥有更高的生物多样性。 在生态学中,群落交错区(或称生态过渡带)的生物种类较多,除了包...
    2 KB (285 words) - 13:13, 8 June 2023
  • 两者之间的区别在于阿利效应的规模: 存在种群阿利效应就表明至少存在一种成分阿利效应,而存在成分阿利效应的并不一定就有种群阿利效应。例如,合作狩猎和更容易找到配偶的能力,都受到种群密度的影响,都属于成分阿利效应,因为它们影响单项的适应性。种群密度低时,这些成分阿利效应会累加起来,产生种群阿利效应...
    25 KB (3,508 words) - 22:32, 27 July 2022
  • 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(Floating-gate MOSFET,简称浮栅MOSFET或FGMOS)是一种场效应晶体管,其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET) 。FGMOS的栅极是电绝缘的,从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅(floating...
    9 KB (1,369 words) - 21:53, 29 October 2023
  • 在退相干的绘景中,一个完美的量子芝诺效应实现方法是,让量子系统持续的与无限杂乱的环境进行无限大强度的耦合。 实验上,通过使量子系统与环境的耦合,以抑制量子系统的演化,在多种微观系统中已经被观测到。 1989年,戴维·瓦恩兰和他在NIST的研究小组观测到了二能级系统中的量子芝诺效应。 约5000个9Be+离子被存储于圆柱形的Penning...
    11 KB (1,465 words) - 18:34, 12 October 2023
  • 磁阻式隨機存取記憶體 (category 存儲媒體)
    电池备用SRAM更换 数据记录专业记忆(黑匣子解决方案) 媒体播放器 书籍阅读器 磁泡存储器 電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM) 鐵電隨機存取記憶體(FeRAM) 铁磁性 磁阻效应 忆阻器 纳米随机存储器(Nano-RAM) 相变化内存(PRAM) Akerman, J. APPLIED PHYSICS:...
    8 KB (1,209 words) - 01:42, 12 October 2023
  • 福斯特法则(英語:Foster's rule),又称为岛屿法则(英語:island rule)、島嶼效應,是演化生物学中的一种规律,指物种会因为环境资源的变化而变得更大或更小,这是岛屿生物地理学研究中的核心内容。例如,从普通猛犸象演化而来的侏儒猛犸象(Mammuthus...
    3 KB (404 words) - 22:30, 7 June 2023
  • 效应管,源极连接在低电平的是N沟道场效应管。输入电路接在两个场效应管的栅极上,输出电路从两个场效应管的连接处接出。当输入低电平,则P沟道场效应管开通,N沟道场效应管关闭,输出高电平。当输入高电平,则N沟道场效应管开通,P沟道场效应管关闭,输出低电平。这就实现了“反相”输出。...
    16 KB (2,081 words) - 07:28, 10 March 2024
  • 彼得·安德烈亚斯·格林贝格(德語:Peter Andreas Grünberg,1939年5月18日—2018年4月7日),德国物理学家,主要研究固態物理学,因发现巨磁阻效應与阿尔贝·费尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。 格林贝格生於蘇台德地區比爾森,1946年和他的父母被驱逐出捷克斯洛伐克后,生活在德国黑森州的劳特巴...
    7 KB (856 words) - 01:11, 6 August 2023
  • line),每个位元的基本存储单元,对每个读端口有1条位线,对每个写端口有2条位线。每个位元的基本存储单元都连接到了供电的Vdd(高电平)与Vss(低电平或者接地),这里的d是指组成SRAM的场效应管的漏极(drain),s是指场效应管的源极(source)。因此,布线所占面积随...
    7 KB (1,262 words) - 13:47, 8 September 2021