• Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник. Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу...
    4 KB (77 words) - 10:34, 2 June 2023
  • Дослідження на мишах показали перевагу таких голок над звичайними. Арсенід галію Нітрид галію Дигалан Gallium(англ.) Technical data for Gallium(англ.) A Course...
    17 KB (1,121 words) - 11:31, 1 December 2023
  • газу (2DEG). Зверху шар захищається тонким спейсером на основі арсеніду алюмінію-галію (AlGaAs). Вище знаходяться легований кремнієм шар n-AlGaAs і сильнолегований...
    2 KB (146 words) - 21:44, 13 May 2020
  • 4 атоми в елементарній комірці. Алмаз, кремній, германій, арсенід галію, арсенід алюмінію, кам'яна сіль Перша зона Бріллюена із характерними точками...
    1 KB (49 words) - 11:37, 16 June 2021
  • на основі подвійної гетероструктури використовують арсенід галію (GaAs) і арсенід алюмінію-галію (AlGaAs). Кожне з'єднання двох таких різних напівпровідників...
    20 KB (1,266 words) - 08:17, 5 August 2023
  • галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію...
    5 KB (198 words) - 16:17, 24 April 2024
  • Іванович Алфьоров відкрив перші («ідеальні») гетероструктури: арсенід алюмінію — арсенід галію (Al As — Ga As). Жорес Іванович Алфьоров створив напівпровідникові...
    12 KB (695 words) - 05:27, 7 January 2023
  • кремній), величезна кількість сплавів і хімічних сполук (арсенід галію, телурид цинку, фосфід галію та інші). Напівпровідникові властивості мають багато потрійних...
    44 KB (2,816 words) - 20:20, 30 January 2024
  • Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо помаранчева речовина, безколірна й нерозчинна у...
    3 KB (57 words) - 16:18, 24 April 2024
  • Ілліча. Продукція: моно- і полікристалічний кремній, германій, арсеніди і фосфіди галію й індію, структури і пластини на їх основі. Виробництво твердих...
    21 KB (1,221 words) - 22:54, 14 February 2024
  • напівпровідникових матеріалів включають: Леговані манганом арсенід індію та арсенід галію (GaMnAs) з температурами Кюрі в діапазонах 50–100 K та 100–200...
    20 KB (1,433 words) - 17:04, 25 December 2023