内存模块（memory module）是一种装有内存集成电路的印刷电路板。内存模块可以轻松安装到个人电脑、工作站和服务器等计算机的电子系统中以及进行更换。最初的内存模块采用专有设计，只能用于特定制造商制造的特定计算机型号。不久后，内存模块由JEDEC等组织进行了标准化，可以在任何遵循相关设计的系统中使用。...

压缩附加内存模块（Compression Attached Memory Module，简称CAMM），是一种使用平面网格阵列封装的内存模块，由戴尔工程师Tom Schnell开发，作为SO-DIMM的替代品。与SO-DIMM相比，CAMM可以使内存以更低的功率和更高的速度运行。...

单列直插式内存模块（single in-line memory module，缩写SIMM）是一种在20世纪80年代初到90年代后期在计算机中使用的包含随机存取存储器的内存模块。它与现今最常见的双列直插式内存模块（DIMM）不同之处在于，SIMM模块两侧的触点是冗余的。SIMM根据JEDEC JESD-21C标准进行了标准化。...

寄存器内存也称缓冲器内存，是一种在动态随机存取存储器模块（DRAM）与系统内存控制器之间有寄存器的内存模块。这可以减少内存控制器上的电气负载，使用多个内存模块的单个系统将会更加稳定。为了区分，传统内存通常称之为无缓冲内存（unbuffered memory）或非寄存器内存（unregistered...

串行存在检测（英語：serial presence detect，缩写SPD）是一种访问内存模块有关信息的标准化方式。 早期的72 pin SIMM包括五个引脚，提供5位元并行存在检测（PPD）数据，而168 pin DIMM标准更改为串行存在检测，以编码更多信息。...

小外形双列直插式内存模块（英語：small outline dual in-line memory module），通常简称为SO-DIMM或SODIMM，它是一种采用集成电路的電腦記憶體。SO-DIMM类似DIMM，但它的体积更小，大约是常规DIMM的一半。...

DIMM，FB-DIMM）将内存的缓冲装置用于每个内存模块连接并串行传输到内存控制器，这是一种新总线设计；它不像传统的内存控制器设备，使用串行数据链路的内存控制器，而不是使用以前的内存设计并行链接。以增加延迟为代价（因串行线路，访问存储器位置的指令必须排队等待），允许使用数量较少层的电路板，令在电路板上连接内存...

SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（双倍数据率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者。 JEDEC设立DDR存储器的速度規範，分为两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 像所有的SDRAM实现方法一样，DDR2 SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。像之前的DDR，DDR2...

内存控制器系统性扫描内存，则可以检测到单比特错误，并可以使用ECC校验和来确定出错的比特并将校正的数据写回内存。 在同一个字（word）未发生多比特错误前周期性检查每个内存位置很重要，这是因为截至2008年，ECC内存模块还不能校正出现多比特的错误。 为了不干扰来自CPU的常规内存...

CAMM可以指： CAMM导弹，欧洲导弹集团英国部门为英国开发的一系列防空导弹。 CAMM (内存模块)，一种使用平面网格阵列封装的内存模块。...

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC固態技術協會为DDR存储器设立速度规範，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料，它是在时钟上升期進行資料传输；而DDR则是一個时钟周期内可传输两次資料，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次資料。...